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半導體設(shè)備有哪些?如何分類?

2021-12-06  來自: 動凱半導體設(shè)備安裝(上海)有限公司 瀏覽次數(shù):302

半導體設(shè)備泛指用于生產(chǎn)各類半導體產(chǎn)品所需的生產(chǎn)設(shè)備,屬于半導體行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈的關(guān)鍵支撐環(huán)節(jié)。半導體設(shè)備是半導體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)先導者,芯片設(shè)計、晶圓制造和封裝測試等需在設(shè)備技術(shù)允許的范圍內(nèi)設(shè)計和制造,設(shè)備的技術(shù)進步又反過來推動半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

以半導體產(chǎn)業(yè)鏈中技術(shù)難度高、附加值、工藝復(fù)雜的集成電路為例,應(yīng)用于集成電路領(lǐng)域的設(shè)備通??煞譃榍暗拦に囋O(shè)備(晶圓制造)和后道工藝設(shè)備(封裝測試)兩大類。

其中的前道晶圓制造中的七大步驟分別為氧化/擴散,光刻,刻蝕,清洗,離子注入,薄膜生長,拋光。每個步驟用到的半導體設(shè)備具體如下:

一、氧化/擴散/退火

氧化是將硅片放置于氧氣或水汽等氧化劑的氛圍中進行高溫熱處理,在硅片表面發(fā)生化學反應(yīng)形成氧化膜的過程;擴散是指在高溫條件下,利用熱擴散原理將雜質(zhì)元素按工藝要求摻入硅襯底中,使其具有特定的濃度分布,從而改變硅材料的電學特性;退火是指加熱離子注入后的硅片,修復(fù)離子注入帶來的晶格缺陷的過程。

擴散爐

擴散爐用于大規(guī)模集成電路、分立器件、電力電子、光電器件和光導纖維等行業(yè)的擴散、氧化、退火、合金及燒結(jié)等工藝。擴散工藝的主要用途是在高溫條件下對半導體晶圓進行摻雜,即將元素磷、硼擴散入硅片,從而改變和控制半導體內(nèi)雜質(zhì)的類型、濃度和分布,以便建立起不同的電特性區(qū)域。

氧化爐

為半導體材料進氧化處理,提供要求的氧化氛圍,實現(xiàn)半導體設(shè)計預(yù)期的氧化處理,是半導體加工過程不可或缺的一個環(huán)節(jié)。

退火爐

半導體器件制造中使用的一種工藝設(shè)備,其包括加熱多個半導體晶片以影響其電性能。熱處理是針對不同的效果而設(shè)計的。可以加熱晶片以摻雜劑,將薄膜轉(zhuǎn)換成薄膜或?qū)⒈∧まD(zhuǎn)換成晶片襯底界面,使致密沉積的薄膜,改變生長的薄膜的狀態(tài),修復(fù)注入的損傷,移動摻雜劑或?qū)诫s劑從一個薄膜轉(zhuǎn)移到另一個薄膜或從薄膜進入晶圓襯底。

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